三星电子位于西安的NAND晶圆厂已完成V8（236层）3D NAND的量产。此次升级自2024年启动，基于原有V6（128层）生产线进行技术改造，目标是提升性能与产能，以适应AI相关存储需求的增长。
在236层量产落地后，三星已将下一阶段锁定为V9（286层）3D NAND。相关生产线将部署在X2工厂，计划在2026年内完成转换并进入量产阶段。
3D NAND的堆叠层数被视为衡量厂商技术实力的重要指标。更高层数意味着单芯片容量提升、读写性能增强以及单位成本下降，是当前存储行业竞争的关键方向。
市场方面，中国厂商长江存储已量产294层产品，其Xtacking 4.0技术将堆叠高度推进至300层以上。随着其在200层以下产品上的竞争力增强，韩国厂商正通过调整产能策略进行应对。三星计划将NAND晶圆年产量从2025年的490万片下调至2026年的468万片，SK海力士也将从190万片降至170万片，减幅均约10%。研究机构Omdia认为，这一策略旨在优先保障DRAM与HBM等高利润产品的产能，同时缓解在通用型NAND市场面临的竞争压力。
目前三星与SK海力士合计占据全球超过六成的NAND市场份额。长江存储已成为全球第三大3D NAND厂商，其良品率稳定在90%以上，成本竞争力持续提升。武汉三期工厂预计在2026年下半年投产，月产能目标为30万片晶圆，未来三年产能有望接近翻倍。
