闪迪公布BiCS10 1Tb TLC 3D NAND测试样品

闪迪（SanDisk）宣布开始向客户交付BiCS10 1Tb TLC 3D NAND测试样品。该代产品在存储密度、传输速率与能效方面均有明显提升，定位面向高强度数据处理场景。

BiCS10采用332层堆叠结构，并结合横向微缩技术，使TLC存储密度达到29Gb/mm²。相较BiCS8，其位密度提升59%。在接口方面，BiCS10引入Toggle DDR6.0、SCA协议与PI-LTT技术，使传输速率达到4.8Gb/s。

本代产品重点优化了能效表现。闪迪继续使用CBA架构，将CMOS逻辑与存储阵列分别制程后再键合，以提升电气性能。相比BiCS8，输入功耗下降10%，输出功耗下降34%，对数据中心与企业级设备的散热与运营成本具有实际意义。