在2025年北美技术论坛上，全球半导体代工龙头台积电（TSMC）正式宣布其3nm制程技术进入全新发展阶段：第三代3nm增强版工艺（N3P）已于2024年第四季度启动量产，而第四代超高性能工艺（N3X）计划于2025年下半年投入生产。这一进展标志着先进制程技术迈入新纪元，为高性能计算、数据中心及消费电子领域注入强劲动力。
作为第二代N3E工艺的升级版本，N3P延续了台积电3nm家族的IP兼容性与设计复用优势，同时针对高性能客户端与数据中心场景进行深度优化。据官方披露在相同功耗下，N3P性能较前代提升约5%；同等性能条件下，功耗可进一步降低5%-10%；
晶体管密度实现4%提升，其中SRAM存储单元微缩技术取得显著突破，为高算力芯片提供更高集成度支撑。
作为N3P的进阶版，N3X工艺进一步突破物理极限：同等功耗下性能再提5%，同频功耗降幅达7%；支持1.2V超高压供电，助力芯片频率飙升至新高度；高电压导致漏电率激增250%，对芯片架构设计与散热方案提出严苛要求。